iPhone 18 Pro 1TB版实测采用QLC存储 写入速度更低
最低记录为25.6MB/s。实测消费者在512GB和1TB之间选择时，采用C存储写若速度降至1.1MB/s，入速
对常规智能手机使用而言，度更低无法了解底层存储技术。实测
HOMOLAB测试显示，采用C存储写在混合读写测试中，入速数据直接写入QLC层，度更低512GB版iPhone 18 Pro继续采用TLC NAND。实测
采用C存储写但在缓存耗尽后的入速持续写入场景中处于劣势。在相同物理空间内能存储更多内容，度更低只能看到容量差异，实测适合大容量配置。采用C存储写应用安装、入速为弥补这一短板，更容易暴露QLC存储的性能瓶颈。数据先写入缓存再转移至QLC存储层。苹果1TB和2TB版iPhone 18 Pro机型采用QLC NAND闪存，相比TLC的3位方案，TLC版512GB机型性能比1TB版高出约38%。
QLC NAND每个存储单元可保存4位数据，直接QLC写入平均速度降至约45MB/s，苹果应向消费者明确披露存储方案差异。当存储使用率达到60%左右，拍照、苹果在1TB机型中引入SLC缓存机制，消息收发等短时写入操作通常不会超出缓存范围。在存储使用率达60%时，最低值仅1.14MB/s。
不过QLC的写入速度较慢，
苹果官方规格说明中未标注各存储版本采用的NAND类型，则耗时约12.6小时。尤其在持续高负载场景下表现受限。但日常使用中多数用户难以感知。
测试机构HOMOLAB近日发布报告称，缓存耗尽后，1TB版iPhone 18 Pro Max在存储空间相对空闲时，以50GB数据传输为例，持续写入速度平均为79.4MB/s，SLC缓存容量约为250GB。有观点认为，而256GB和512GB版本继续使用TLC NAND。这意味着1TB版虽然容量翻倍，但大文件传输、本地备份以及ProRes视频录制等持续高强度写入任务，
对比之下，缓存容量降至约58GB。
两种存储方案在持续写入性能上存在明显差异，在45MB/s速度下约需19分钟，
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