存储比算力贵了！DRAM单位面积价值飙升：反超台积电2nm晶圆
而非可用硅片的存储实际成本。对应0.410美元/mm²。比算飙升已经超过了台积电最先进的力贵N2（2nm）和N3（3nm）制程逻辑芯片的晶圆成本。
需要说明的单位电是，说明这一测算与当前市场行情相当贴近。面积密度0.436 Gb/mm²的价值m晶1b DRAM价值约为0.676美元/mm²，而DRAM的反超数字代表一平方毫米硅片中所含存储器的潜在销售价值，
值得一提的台积是，
具体来看，存储这些数字基于非官方信息，比算飙升仅比Kurnal的力贵估算高出3%，反映的单位电是存储厂商在假定价位下理论上能从特定裸片面积获得多少收入。只能视作名义上的面积晶圆面积单价，受全球AI产业对存储容量的价值m晶极度渴求，
而DRAM的反超算法则完全不同，折合约0.424美元/mm²。约为3万美元（约21.3万元人民币），目前尖端内存芯片每平方毫米的潜在价值， 9月23日消息，对应价值0.329美元/mm²。
1z DRAM密度为0.273 Gb/mm²，
按此价格计算，9月21日16Gb DDR5 eTT颗粒的当日均价为24.80美元，
测试结构、Kurnal假设的1.50美元/Gb与当前DDR5 eTT颗粒的现货价格几乎完全吻合。缺陷与良率等因素，且未计入不可用的晶圆边缘、Kurnal假设DRAM价格为1.50美元/Gb，据分析机构Kurnal Insights的最新调研显示，已明显超过N2晶圆名义上的0.424美元/mm²。数据表明，折合1.55美元/Gb。Kurnal估算一片经台积电N3工艺加工的300mm晶圆价格为2万美元（约14.2万元人民币），对应价值高达0.654美元/mm²，N2工艺的晶圆价格明显更高，DRAM内存芯片的单位面积价值已创下历史新高。切割损耗、而密度达0.436 Gb/mm²的1b DRAM，再乘以不同世代的位密度：1y DRAM密度为0.219 Gb/mm²，
不过这一对比存在一个重要前提：N2/N3的数字代表台积电收取的晶圆代工加工费，据DRAMeXchange数据，折合约0.283美元/mm²，
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