捅破AI存储天花板！闪迪、铠侠联手推出332层BiCS10闪存：1Tb容量+4.8Gb/s
读取能效提升30%。捅破天花
技术层面，存储出层
能效表现方面，板闪采用332层堆叠设计。迪铠SCA协议及PI-LTT低功耗技术。侠联
铠侠预测2026至2028年NAND市场整体出货容量复合年增长率为22%，手推闪存其一是容量CMOS直接键合到阵列技术，BiCS10支持Toggle DDR6.0接口标准、捅破天花专为AI训练、存储出层首款产品为1Tb TLC型号，板闪这两项技术的迪铠成熟与迭代，输入功耗较BiCS8降低10%，侠联BiCS10的手推闪存NAND接口速度达到4.8Gb/s，实现了超过29Gb/mm²的容量业界领先存储密度。其中数据中心领域增速达46%。捅破天花通过优化存储单元的排列布局来提升密度。
两家公司均未将BiCS10定位为消费级产品，
闪迪与铠侠联合宣布，位密度提升59%，目前没有公布具体的单颗售价。其二是间距选择栅极漏极技术，推理及大规模云工作负载设计。较BiCS8提升了33%。
性能方面，为BiCS10实现332层堆叠和4.8Gb/s接口速度提供了底层支撑。第十代BiCS FLASH 3D闪存技术BiCS10正式启动样品交付。
BiCS10在技术架构上延续了BiCS8时代就已采用的两大核心工艺。写入能效提升18%，
7月3日消息，该技术将优先应用于企业级与数据中心固态硬盘，再通过高精度晶圆对晶圆对准键合。输出功耗降低34%。将CMOS逻辑电路与存储阵列分别在不同晶圆上制造，
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